Разделы сайта
Выбор редакции:
- Медицинское применение при различных заболеваниях и противопоказания
- Тахинная халва: польза и вред
- Рецепт острых маринованных кабачков с медом и чесноком
- Рецепт острых маринованных кабачков с медом и чесноком
- Простой джем из груши на зиму
- Опорные конспекты по учебной дисциплине "общая биология"
- Уровни организации жизни Клеточный уровень организации живой природы
- БЛА «Форпост» оснастят всевидящим радаром Беспилотный летательный аппарат форпост
- Распределение рядов и мест
- Сибирская академия государственной службы (СибАГС) Сибирский университет управления при президенте рф
Реклама
Кт 827 технические характеристики аналог. Мощное зарядное устройство для аккумуляторов — схема. Зарубежные аналоги транзисторов КТ827 |
Очередная конструкция мощного зарядного устройства для кислотных аккумуляторов большой емкости. Данное устройство может с успехом зарядить автомобильные аккумуляторы с емкостью до 120 Ампер. Выходное напряжение зарядного устройства можно регулировать от 0 до 24-х Вольт. Схема отличается от аналогов малым количеством компонентов в обвязке и практически не нуждается в дополнительной настройке. Мощное зарядное устройство для аккумуляторов — схемаСиловая часть — мощный составной транзистор отечественного производства серии КТ827, выходное напряжение регулируется переменным резистором R2. Выходной ток схемы зарядки зависит от типа и мощности используемого трансформатора. Сам трансформатор достаточно легко найти в источниках бесперебойного питания, Как право, минимальная мощность таких трансформаторов составляет не менее 200 ватт, а в некоторых, более мощных бесперебойниках вплоть со 1000 ватт. Трансформатор имеет три основных вывода. Сама обмотка (которая в бесперебойнике играет роль первичной обмотки) тут у нас будет понижающей, то есть вторичной. Трансформатор является обычным понижающим сетевым трансформатором, при таком режиме работы на выводах вторичной обмотки образуется переменное напряжение с номиналом 24 Вольт 8-15 Ампер, в зависимости от мощности трансформатора.
Возможно понадобиться принудительное охлаждение схемы. Для этого можно использовать кулер от компьютерных блоков питания, желательно кулер запитать от отдельного напряжения 12 Вольт, к примеру, можно использовать среднюю точку нашей обмотки и один из концов, выпрямить напряжение обычным мостом и подать на кулер. С уважением — АКА КАСЬЯН Т
ранзисторы КТ827(2Т827) - кремниевые, мощные,
низкочастотные,составные(схема Дарлингтона), структуры - n-p-n. Наиболее важные параметры.Коэффициент передачи тока
2
в. Напряжение насыщения база-эмиттер
при токе коллектора 10А, базы 40мА
- не более 3
в. Граничная частота передачи тока.
- 4
МГц. Максимальное напряжение коллектор - эмиттер.
У транзисторов КТ827В, 2Т827В - 60 в. Максимальный ток коллектора(постоянный) - 20 А, импульсный - 40 А. Рассеиваемая мощность коллектора
- 125
Вт Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 400 пФ. Зарубежные аналоги транзисторов КТ827.КТ827А - 2N6059, 2N6284. Транзисторы КТ973Транзисторы КТ973 - мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-126. Наиболее важные параметры.Коэффициент передачи тока - свыше 750 . Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: Коэффициент передачи тока - от 750 . Максимальный постоянный ток коллектора - 4 А. Обратный ток колектора
при напряжении коллектор-эмиттер 60 в: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - не более 1,5 в. |
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Режим измерения * | |||
КТ827А | КТ945А | КТ8111А | |||
Граничное напряжение, В | U КЭО гр | 100 | 200 | 100 | I K =0,1A |
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В | U КБО mах | 100 | 225 | 100 | I КБО: |
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В | U ЭБО mах | 5 | I ЭБО: |
||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | I K mах | 20 | 15 | 20 | – |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | I K, ИМП mах | 40 | 25 | 40 | |
Максимально допустимый постоянный ток базы, А | I Б mах | 0,8 | 7 | 0,8 | |
Максимально допустимый импульсный ток базы, А | I Б, ИМП mах | – | 12 | – | |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт | p K mах | 125 | 50 | 90 | Т П =Т П mах |
Максимально допустимая температура перехода, ° С | Т П mах | 200 | 175 | 150 | – |
* Температура корпуса 25 ° С |
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения * | ||
КТ827А | КТ945А | КТ8111А | |||
Обратный ток коллектор-база, мА: | I КБО | 0,1 0,5 | 0,2 2 | 0,1 0,5 | U КБО: |
Обратный ток эмиттер-база, мА: | I ЭБО | 2 5 | 0,1 10 | 2 5 | U ЭБО =5 В |
Статический коэффициент передачи тока: | h 21Э | 750 5000 18000 | 10 40 60 | 750 5000 18000 | I K: |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: | U КЭ нас | 1,5 | I K: |
||
максимальное | 2 | 2,5 | 2 | ||
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: | U БЭ нас | 3 4 | 2 3 | 3 4 | I K: |
Время выключения, мкс: | t ВЫКЛ | 4 6 | – – | 4 6 | I K =10 A |
Время спада коллекторного тока, мкс: | t СП | – – | 0,15 0,3 | – – | I K =10 A |
Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт: | t ВЫКЛ | – 1,4 | 1,4 2,5 | – 1,4 | U K =20 B |
* Температура корпуса 25 ° С. |
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ827А и КТ945А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ8111А - в корпусе КТ-43 (ТО-218) - на рис. 2, электрические схемы транзисторов - на рис. 3, а, б.
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ827А и КТ945А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ8111А в корпусе КТ-43: 1-3 - по рис. 1
Электрическая схема транзисторов: а - КТ827А и КТ8111А: VT1, VT2 - транзисторы;
VD1 - демпферный диод;
R1 - согласующий резистор 10 кОм;
R2 - согласующий резистор 100 Ом;
1-3 - по рис. 1;
б - КТ945А: VT1 - транзистор;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов КТ827А и КТ945А не более 20 г, транзистора КТ8111А - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 - 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзисторов 10 лет.
В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.
Популярное:
Новое
- Тахинная халва: польза и вред
- Рецепт острых маринованных кабачков с медом и чесноком
- Рецепт острых маринованных кабачков с медом и чесноком
- Простой джем из груши на зиму
- Опорные конспекты по учебной дисциплине "общая биология"
- Уровни организации жизни Клеточный уровень организации живой природы
- БЛА «Форпост» оснастят всевидящим радаром Беспилотный летательный аппарат форпост
- Распределение рядов и мест
- Сибирская академия государственной службы (СибАГС) Сибирский университет управления при президенте рф
- Методические указания и рекомендации «Документация по сопровождению инклюзивного образования в образовательных учреждениях Формы организации инклюзивного образования